1
خوشه‌های اکسید فلزی که می‌توانند شارژ الکتریکی را در خود نگه دارند و به عنوان RAM مورد استفاده قرار گیرند، اکنون قادرند پایه اصلی سلولهای اطلاعاتی مورد استفاده در فلش مموری‌ها باشند. این موضوع از یافته‌های تازه محققان دانشکده شیمی و مهندسی دانشگاه گلاسگو و دانشگاه Rovira i Virgili اسپانیا است که در مجله نیچر چاپ شده.
گروه ۱۳ نفره محققان به این نتیجه رسیده‌اند که مولکولهای پلی‌اکسومتالات (POM) می‌توانند به عنوان گره‌های ذخیره اطلاعات در حافظه‌های فلش MOS مورد استفاده قرار گیرند. آنها برای ساخت خوشه‌های اکسید فلزی POM از فلز تنگستن استفاده کردند و سلنیوم را به هسته‌های داخلی افزودند. از این شیوه که به تغلیظ مشهور است معمولا برای تولید حافظه‌های خاصی بهره می‌برند که با نام «نوشتاری، یک بار پاک‌کردنی» یا به نوعی نوشتاری یک‌بار مصرف شناخته می‌شوند.
این تحقیقات گوشه چشمی هم به محدودیتهای موجود در زمینه اندازه سلولهای داده حافظه فلش دارد. محصولاتی که به شکل گسترده در ابزارهای موبایل همچون تلفنهای همراه، کول دیسکها و دوربینها مورد استفاده قرار می‌گیرند. تصور اینکه به جای اجزای حافظه فلشهای مرسوم فعلی از مولکولهای منحصر به فرد استفاده شود، موضوع تازه‌ای نیست. اما تحقیقات پیشین به دنبال این بودند که با این مشکل به شیوه‌های عجیبی چون پایداری در دمای پایین و رسانایی در ولتاژهای پایین روبرو شده و راه‌حلی بیابند.
البته تیم جدید تحقیقاتی آنقدر واقع‌نگر است که استانداردهای صنعتی را هم از نظر دور نداشته و رویکردشان را به گونه‌ای پیش ببرند که امکان تولید صنعتی در ابعاد نانومتری هم امکان پذیر باشد. لذا اکنون به نظر می‌رسد POMهای جدید این قابلیت را دارند که ساخت حافظه‌های فلش واقعی در ابعاد نانومتر را امکان‌پذیر سازند.
لی کرونین شیمیدان همکار از دانشگاه گلاسگو می‌گوید: «یکی از مزایای اصلی استفاده از POM یا پلی‌اکسومتالات این است که با ابزارهایی فعلی صنایع، تولید انبوه آنها امکان پذیر است. لذا بدون نیاز به ایجاد خطوط تولید تازه یا تحمیل هزینه‌های سنگین می‌توان خط تولید این فلشهای نانومتری جدید را راه اندازی کرد.»
خوشه‌های اکسید فلزی که می‌توانند شارژ الکتریکی را در خود نگه دارند و به عنوان RAM مورد استفاده قرار گیرند، اکنون قادرند پایه اصلی سلولهای اطلاعاتی مورد استفاده در فلش مموری‌ها باشند. این موضوع از یافته‌های تازه محققان دانشکده شیمی و مهندسی دانشگاه گلاسگو و دانشگاه Rovira i Virgili اسپانیا است که در مجله نیچر چاپ شده.
گروه ۱۳ نفره محققان به این نتیجه رسیده‌اند که مولکولهای پلی‌اکسومتالات (POM) می‌توانند به عنوان گره‌های ذخیره اطلاعات در حافظه‌های فلش MOS مورد استفاده قرار گیرند. آنها برای ساخت خوشه‌های اکسید فلزی POM از فلز تنگستن استفاده کردند و سلنیوم را به هسته‌های داخلی افزودند. از این شیوه که به تغلیظ مشهور است معمولا برای تولید حافظه‌های خاصی بهره می‌برند که با نام «نوشتاری، یک بار پاک‌کردنی» یا به نوعی نوشتاری یک‌بار مصرف شناخته می‌شوند.
این تحقیقات گوشه چشمی هم به محدودیتهای موجود در زمینه اندازه سلولهای داده حافظه فلش دارد. محصولاتی که به شکل گسترده در ابزارهای موبایل همچون تلفنهای همراه، کول دیسکها و دوربینها مورد استفاده قرار می‌گیرند. تصور اینکه به جای اجزای حافظه فلشهای مرسوم فعلی از مولکولهای منحصر به فرد استفاده شود، موضوع تازه‌ای نیست. اما تحقیقات پیشین به دنبال این بودند که با این مشکل به شیوه‌های عجیبی چون پایداری در دمای پایین و رسانایی در ولتاژهای پایین روبرو شده و راه‌حلی بیابند.
البته تیم جدید تحقیقاتی آنقدر واقع‌نگر است که استانداردهای صنعتی را هم از نظر دور نداشته و رویکردشان را به گونه‌ای پیش ببرند که امکان تولید صنعتی در ابعاد نانومتری هم امکان پذیر باشد. لذا اکنون به نظر می‌رسد POMهای جدید این قابلیت را دارند که ساخت حافظه‌های فلش واقعی در ابعاد نانومتر را امکان‌پذیر سازند.
لی کرونین شیمیدان همکار از دانشگاه گلاسگو می‌گوید: «یکی از مزایای اصلی استفاده از POM یا پلی‌اکسومتالات این است که با ابزارهایی فعلی صنایع، تولید انبوه آنها امکان پذیر است. لذا بدون نیاز به ایجاد خطوط تولید تازه یا تحمیل هزینه‌های سنگین می‌توان خط تولید این فلشهای نانومتری جدید را راه اندازی کرد.»
عباس واحدی
