سامسونگ الکترونیکس, به‌عنوان رهبر جهانی در فناوری حافظه پیشرفته، امروز اعلام کرد که HBM3E 12H را توسعه داده است که اولین DRAM با ۱۲ لایه در صنعت HBM3E و همچنین محصول HBM با بالاترین ظرفیت تا به امروز است.
HBM3E 12H سامسونگ پهنای باند بی‌سابقه‌ای تا ۱۲۸۰ گیگابایت بر ثانیه (گیگابایت بر ثانیه) و ظرفیت پیشرو در صنعت یعنی ۳۶ گیگابایت را ارائه می‌دهد. در مقایسه با HBM3 8H هشت‌لایه، هر دو جنبه بیش از ۵۰ درصد بهبود یافته‌اند.
یونگچول بائه، معاون اجرایی بخش برنامه‌ریزی محصولات حافظه در سامسونگ الکترونیکس، گفت: «ارائه‌دهندگان خدمات هوش مصنوعی در صنعت به طور فزاینده‌ای نیازمند HBM با ظرفیت بالاتر هستند و محصول جدید HBM3E 12H ما برای پاسخگویی به این نیاز طراحی شده است. این راه‌حل حافظه جدید بخشی از تلاش ما برای توسعه فناوری‌های هسته‌ای برای HBM با تعداد لایه بالا و ارائه رهبری فناوری برای بازار HBM با ظرفیت بالا در عصر هوش مصنوعی است.»
HBM3E 12H از فیلم غیر رسانای فشرده‌سازی حرارتی پیشرفته (TC NCF) استفاده می‌کند و به محصولات ۱۲ لایه اجازه می‌دهد تا همان مشخصات ارتفاع را به‌عنوان محصولات ۸ لایه داشته باشند تا نیازمندی‌های بسته‌بندی HBM فعلی را برآورده کنند. انتظار می‌رود این فناوری به‌ویژه با تعداد لایه‌های بالاتر و باتوجه‌به تلاش صنعت برای کاهش تاب برداشتن تراشه‌های نازک‌تر، مزایای بیشتری داشته باشد. سامسونگ همچنان به کاهش ضخامت مواد NCF خود ادامه داده و به کوچک‌ترین فاصله بین تراشه‌ها در صنعت یعنی هفت میکرومتر (میکرون) دست‌یافته است، درعین‌حال خلاهای بین لایه‌ها را نیز حذف کرده است. این تلاش‌ها منجر به افزایش تراکم عمودی بیش از ۲۰ درصد در مقایسه با محصول HBM3 8H خود می‌شود.
NCF پیشرفته سامسونگ همچنین با امکان استفاده از گوی‌های اتصال در اندازه‌های مختلف بین تراشه‌ها، خواص حرارتی HBM را بهبود می‌بخشد. در فرایند اتصال تراشه، از گوی‌های کوچک‌تر در مناطقی برای سیگنال‌دهی استفاده می‌شود و گوی‌های بزرگ‌تر در نقاطی قرار می‌گیرند که نیاز به دفع گرما دارند. این روش همچنین به افزایش بازده محصول کمک می‌کند.
با رشد تصاعدی برنامه‌های کاربردی هوش مصنوعی، انتظار می‌رود HBM3E 12H راه‌حلی ایده‌آل برای سیستم‌های آینده باشد که به حافظه بیشتری نیاز دارند. عملکرد و ظرفیت بالاتر آن به‌ویژه به مشتریان این امکان را می‌دهد تا منابع خود را به طور انعطاف‌پذیرتر مدیریت کنند و هزینه کل مالکیت (TCO) را برای مراکز داده کاهش دهند. برآورد شده است که در مقایسه با استفاده از HBM3 8H، سرعت آموزش هوش مصنوعی به طور متوسط ۳۴ درصد افزایش می‌یابد و تعداد کاربران هم‌زمان سرویس‌های استنتاج می‌تواند بیش از ۱۱.۵ برابر شود.
سامسونگ نمونه‌سازی HBM3E 12H خود را برای مشتریان آغاز کرده است و تولید انبوه آن برای نیمه اول سال جاری برنامه‌ریزی شده است.
