سامسونگ حافظه ۱ ترابایتی داخلی را برای گوشی‌های هوشمند معرفی کرد

شرکت سامسونگ الکترونیکس امروز بصورت رسمی تولید عمده اولین نسخه حافظه یونیورسال فلش یا eUFS 2.1 را با گنجایش یک ترابایت اعلام کرد.

این نوع حافظه که به عنوان حافظه داخلی گوشی‎های هوشمند استفاده می‎شود قرار است در نسل بعدی محصولات سامسونگ بکار گرفته شود. تنها چهار سال بعد از معرفی اولین نسخه حافظه‎های UFS که با گنجایش ۱۲۸ گیگابایت عرضه شده بودند، اکنون شرکت سامسونگ توانسته است از مرز یک ترابایت حافظه داخلی برای گوشی‎های هوشمند عبور کند. به این ترتیب کاربران گوشی‎های هوشمند به زودی خواهند توانست حافظه‎ای در حد یک نوت‎بوک بالارده را بدون نیاز به کارت حافظه جداگانه، روی گوشی‎های هوشمند خودشان داشته باشند.

چئول چوی مدیراجرایی بخش بازاریابی حافظه در شرکت سامسونگ می‎گوید «انتظار می‎رود حافظه ۱TB eUFS بتواند نقش بسیار مهمی در ایجاد تجربه کاربری شبیه به نوت‌بوک در نسل آینده گوشی‎های همراه داشته باشد. علاوه بر این سامسونگ متعهد است قابل اتکاترین زنجیره عرضه این حافظه را با میزان تولید کافی ایجاد کند تا عرضه گوشی‎های هوشمند پرچمدار جدید به موقع انجام شده و موجب رشد بازار جهانی موبایل شود».

حافظه ۱TB eUFS در همان ابعاد قبلی (۱۱٫۵ میلی‎متر در ۱۳٫۰ میلی‎متر) طراحی شده است اما با ترکیب ۱۶ لایه پشته‎ای از پیشرفته‎ترین حافظه‎های فلش V-NAND 512 گیگابایتی سامسونگ با یک کنترلر اختصاصی، توانسته است ظرفیتی دوبرابر نسخه‎های قبلی ایجاد کند. به این ترتیب کاربران گوشی‎های هوشمند خواهند توانست تا ۲۶۰ ویدیوی ۱۰ دقیقه‌ای با فرمت ۴K UHD را در حافظه داخلی گوشی خود ذخیره کنند در حالی که بسیاری از گوشی‌های بالارده امروزی هنوز از حافظه ۶۴GB eUFS استفاده می‎کنند که کاربر تنها می‎تواند ۱۳ ویدیو با مشخصات گفته شده را روی آنها ذخیره کند.

سرعت کار حافظه ۱TB eUFS هم بصورت استثنایی بالا رفته است و به این ترتیب کاربران می‎توانند حجم بزرگی از فایل‎های چندرسانه‎ای را در زمانی بسیار کم به گوشی خود منتقل کنند. سرعت انتقال این حافظه ۱۰۰۰ مگابایت برثانیه یعنی تقریبا دو برابر سرعت خواندن در یک حافظه SATA SSD 2.5 اینچی است. این یعنی یک ویدیوی فول اچ‎دی با حجم ۵ گیگابایت را می‎توانید تنها در ۵ ثانیه به حافظه NVMe SSD منتقل کنید. این سرعت تا ۱۰ برابر بیشتر از سرعت یک حافظه microSD معمولی است.

علاوه بر این سرعت خواندن تصادفی نیز در مقایسه با نسخه ۵۱۲ گیگابایتی تا ۳۸ درصد افزایش یافته و سرعت کلاک به ۵۸ هزار IOPS رسیده است. سرعت نوشتن تصادفی هم تا ۵۰۰ برابر سریعتر از یک کارت حافظه microSD با عملکرد بسیار بسیار خوب (یعنی کلاک ۱۰۰ IOPS) است و سرعت کلاک ان به ۵۰ هزار IOPS رسیده است. بالا بودن سرعت خواندن و نوشتن تصادفی به کاربر امکان می‎دهد فیلمبرداری با سرعت ۹۶۰ فریم در ثانیه را بصورت پیوسته ادامه دهد و این یعنی استفاده کامل از قابلیت‎های گوشی‌های پرچمدار چنددوربین کنونی و مدل‎های آینده.

شرکت سامسونگ قصد دارد تولید نسل پنجم حافظه‌های ۵۱۲Gb V-NAND خود را در نیمه اول سال ۲۰۱۹ در کارخانه پیونگ‎تائک کره جنوبی افزایش داده تا بتواند پاسخگوی افزایش تقاضای پیش‎بینی شده برای حافظه‌های ۱TB eUFS از سوی برندهای مختلف تولیدکننده گوشی‎های همراه باشد.

مقایسه عملکرد حافظه داخلی: