شرکت سامسونگ الکترونیکس، پیشرو در زمینه فناوری حافظه پیشرفته، امروز اعلام کرد که تولید انبوه سلول سه سطحی (TLC) یک ترابایتی (Tb) نسل نهم حافظه فلش عمودی (V-NAND) را آغاز کرده است که جایگاه خود را در بازار حافظه فلش NAND تثبیت میکند.
شرکت سامسونگ الکترونیکس، پیشرو در زمینه فناوری حافظه پیشرفته، امروز اعلام کرد که تولید انبوه سلول سه سطحی (TLC) یک ترابایتی (Tb) نسل نهم حافظه فلش عمودی (V-NAND) را آغاز کرده است که جایگاه خود را در بازار حافظه فلش NAND تثبیت میکند.