شرکت سامسونگ الکترونیکس، پیشرو در زمینه فناوری حافظه پیشرفته، امروز اعلام کرد که تولید انبوه سلول سه سطحی (TLC) یک ترابایتی (Tb) نسل نهم حافظه فلش عمودی (V-NAND) را آغاز کرده است که جایگاه خود را در بازار حافظه فلش NAND تثبیت می‌کند.
سونگ هوی هور، رئیس بخش فناوری و محصولات فلش در بخش حافظه سامسونگ الکترونیکس، گفت: «ما از ارائه اولین V-NAND نسل نهم در صنعت هیجان‌زده هستیم که باعث جهش‌های روبه‌جلو در برنامه‌های کاربردی آینده می‌شود. برای پاسخگویی به نیازهای در حال تحول برای راه‌حل‌های فلش NAND، سامسونگ مرزهای معماری سلولی و طرح عملیاتی را برای محصول نسل بعدی خود جابه‌جا کرده است. سامسونگ از طریق آخرین V-NAND خود، همچنان به تعیین روند بازار درایو حالت جامد (SSD) با عملکرد بالا و تراکم بالا ادامه خواهد داد که نیازهای نسل آینده هوش مصنوعی را برآورده می‌کند.»
سامسونگ با کوچک‌ترین اندازه سلولی و نازک‌ترین قالب موجود در صنعت، تراکم بیتی V-NAND نسل نهم را نسبت به V-NAND نسل هشتم تقریباً ۵۰ درصد بهبود بخشیده است. نوآوری‌های جدید مانند جلوگیری از تداخل سلولی و افزایش طول عمر سلولی برای ارتقای کیفیت و قابلیت اطمینان محصول به کار گرفته شده است، درحالی‌که حذف سوراخ‌های کانال کاذب، ناحیه مسطح سلول‌های حافظه را به طور قابل‌توجهی کاهش داده است.
علاوه بر این، فناوری پیشرفته “حکاکی سوراخ کانال” سامسونگ، رهبری این شرکت را در قابلیت‌های فرایند نشان می‌دهد. این فناوری با روی‌هم چیدن لایه‌های قالب، مسیرهای الکترونی ایجاد می‌کند و بهره‌وری ساخت را به حداکثر برساند، زیرا امکان حفاری هم‌زمان بالاترین تعداد لایه سلولی در یک ساختار دوطبقه را فراهم می‌کند. با افزایش تعداد لایه‌های سلولی، توانایی سوراخ‌کردن تعداد سلولی بالاتر ضروری می‌شود و نیازمند تکنیک‌های حکاکی پیچیده‌تر است.
نسل نهم V-NAND مجهز به رابط نسل بعدی فلش NAND، “Toggle 5.1” است که از افزایش سرعت ورودی/خروجی داده به میزان ۳۳ درصد تا ۳.۲ گیگابیت بر ثانیه (Gbps) پشتیبانی می‌کند. سامسونگ با همراهی این رابط جدید، قصد دارد با گسترش پشتیبانی از PCIe 5.0، موقعیت خود را در بازار SSD با کارایی بالا تثبیت کند.
همچنین مصرف برق نسبت به نسل قبل با پیشرفت‌های صورت‌گرفته در طراحی کم‌مصرف، ۱۰ درصد بهبودیافته است. ازآنجایی‌که کاهش مصرف انرژی و انتشار کربن برای مشتریان حیاتی می‌شود، انتظار می‌رود V-NAND نسل نهم سامسونگ راه‌حلی ایده‌آل برای برنامه‌های کاربردی آینده باشد.
سامسونگ تولید انبوه V-NAND یک ترابایتی TLC نسل نهم را از این ماه آغاز کرده است و پس از آن مدل سلول چندسطحی (QLC) در نیمه دوم سال جاری عرضه خواهد شد.
